智通財經APP獲悉，國金證券發布研報稱，隨着後續GPU功耗提升、交換芯片數量增加以及超節點架構推進，機櫃供電能力將成為AI基礎設施的重要瓶頸之一。液冷Busbar有望成為高功率AI機架的重要產品趨勢，800V高壓供電將進一步提高母線性能要求。機架母線液冷滲透率提升，以及800VHVDC高壓直流架構在新建數據中心導入，將對母線核心部件銅排帶來材料和結構升級機會。

國金證券主要觀點如下：

AI服務器正從單機部署走向機架級、超節點級系統，機櫃功耗進入快速提升階段

進入AI時代，GPU/ASIC、NVSwitch、高速互聯、光模塊等被更高密度地集成在同一機櫃內，整機櫃逐漸成為算力、供電、散熱和互聯協同設計的最小單元。以英偉達平台為例，GB200 NVL72 IT側功率約136kW，Vera Rubin NVL72預計提升至約209kW，NVLink交換能力和整櫃功率密度繼續上行。隨着後續GPU功耗提升、交換芯片數量增加以及超節點架構推進，機櫃供電能力將成為AI基礎設施的重要瓶頸之一。

機架母線是AI機櫃內部配電系統的核心部件，主要承擔大電流傳輸、電源分配和托盤連接功能，是機櫃內部的「供電主幹」

在集中式供電架構下，電源模塊輸出電能後，需要通過母線將電流分配至計算托盤、交換托盤等負載端，因此母線的導電能力、溫升控制、壓降水平、連接可靠性和安全冗餘，都會直接影響整櫃供電效率和運行穩定性。以英偉達機櫃為例，GB200 NVL72在50V集中供電下母線電流約2900A，而Vera Rubin NVL72母線電流預計提升至5000A以上，已經顯著超出傳統機櫃配電部件的能力邊界。

功率提升帶來的難點不只是「電流變大」，更在於高電流需要在有限機櫃空間內實現可控傳輸

TEConnectivity的仿真數據顯示，在48V架構下，負載功率從200kW提升至400kW時，最大直流電流由4166A提升至8333A，最大溫升由7.79℃提升至33.59℃，最大壓降由0.10V提升至0.21V，溫升壓力呈明顯非線性放大。與此同時，AI機櫃內部空間被芯片冷卻部件、線纜和結構件共同佔用，母線很難簡單依靠加寬、加厚銅排來解決大電流問題，換言之，AI機櫃功耗提升後，母線不再是普通配電件，而是影響整櫃電力密度、熱管理效率和系統可靠性的關鍵基礎部件。

液冷Busbar有望成為高功率AI機架的重要產品趨勢，800V高壓供電將進一步提高母線性能要求

相比傳統風冷或自然散熱母線，液冷Busbar通過在母線結構中引入冷卻流道，或與整櫃液冷系統協同，將導電、散熱、流體密封、絕緣防護和可靠性測試集成到同一部件中，使產品壁壘從傳統銅排加工升級為「電-熱-液」一體化設計製造能力。TE已推出面向200kW、400kW和750kW等級的液冷垂直母線方案;Molex在2026年Computex展示多通道液冷母線方案，冷卻效率最高可提升20%，並在15000A電流下將溫升控制在15℃左右，液冷Busbar已經進入量產應用階段。此外，800V高壓直流架構的導入將進一步提高母線在絕緣、安全防護、連接可靠性和結構集成方面的性能要求，推動機架母線從低壓大電流部件向高壓高可靠組件繼續升級。

銅材料是機架母線的核心材料

銅具備更低電阻率、更高導電率和更高導熱率，在大電流、高功率密度場景中更有利於降低線路損耗、控制溫升並壓縮結構尺寸。液冷Busbar和高壓母線對銅材也提出了更高要求，產品競爭重點將從基礎銅排供給，進一步延伸到高純銅/銅合金材料、複雜截面成型、冷卻流道協同、焊接與密封、絕緣包覆、平整度控制和批量一致性管理。因此，機架母線升級本質上會帶來材料、結構、工藝和驗證體系的全面升級，具備高性能銅材、精密加工、客戶協同開發和批量質量控制能力的供應商，有望在AI機櫃功率升級過程中率先受益。

風險提示

產業化進度不及預期，產品認證及產能釋放不及預期。