ASML與台積電聯手，把先進製程的成本往下打。

9月7日，在加州蒙特雷舉行的SPIE BACUS年會前夕，兩家公司宣佈啓動一項全行業合作計劃：推動高數值孔徑極紫外光刻（High NA EUV）的光罩從6英寸向12英寸過渡。

按照時間表，2031年前建成12英寸掩模試驗生產線，2033年前讓12英寸High NA光刻系統進入先進節點量產。

這背後的商業邏輯很直接：更大的光罩意味着更高的生產效率、更低的芯片製造成本。

同時還能消除當前技術路線中的拼接限制，讓芯片製造商更充分地釋放High NA EUV的潛力。

對正在瘋狂燒錢建AI數據中心的科技巨頭來說，先進製程成本每下降一點，AI芯片的性價比就往上升一點。

ASML總裁兼CEO Christophe Fouquet的判斷是，未來幾代更小、更快、更節能的芯片，都將受益於這一升級。

台積電和三星已經給出了各自的落地節奏。

台積電承諾2030年將High NA技術用於先進製程量產；三星則更早一步，2028年前用於DRAM量產。

台積電董事長魏志強的話，點出了這次合作更核心的意味：「當整個行業攜手解決複雜問題時，就能釋放出任何一家公司單打獨鬥都無法實現的潛力。」

從AI數據中心到消費電子，芯片成本一直是決定技術滲透速度的關鍵變量。

當光刻技術開始向12英寸時代邁進，受益的不只是台積電或三星，而是整條AI算力供應鏈。