快科技9月9日消息，英特爾在先進芯片製造領域再獲關鍵突破，其晶圓代工部門宣佈，採用高數值孔徑極紫外光刻（High-NA EUV）技術處理的晶圓累計量已突破100萬片大關。

這一數字涵蓋了設備認證、測試研發及部分產品層的量產環節，標誌着該項下一代光刻技術正從實驗室驗證穩步邁向實際生產線。

據英特爾披露，其高數值孔徑EUV晶圓處理總量已超過全球其他採用該技術的芯片製造商之和，進一步鞏固了其在新型光刻賽道上的先發優勢。

高數值孔徑EUV是傳統EUV光刻的進階版本，其物鏡數值孔徑從0.33提升至0.55，可在晶圓上實現更精細的圖形刻畫，並有望簡化部分複雜的多重曝光工藝。

對於先進製程而言，這意味着更高的晶體管密度、更低的製造複雜度，以及芯片性能與能效的潛在提升。不過，這類設備的成本與工藝控制要求也顯著更高。

目前，英特爾已在俄勒岡州部署至少三台高數值孔徑EUV光刻機，並將其用於部分Intel 18A製程的生產。

公司表示，採用該技術製造的Panther Lake處理器部分層，在套刻精度、生產吞吐量和設備可用率等關鍵指標上均達到預期。

需要指出的是，英特爾並未將整個18A製程全部切換至新設備，而是選擇關鍵層進行試產，同時也在傳統0.33數值孔徑EUV設備上完成相同層次的加工，以便對兩種技術路徑的製造表現進行直接對比。

結果顯示，採用高數值孔徑EUV生產的18A層在性能上已持平甚至優於傳統EUV平台對應的層級。

公司表示，客戶目前仍可通過現有6英寸光掩模使用高數值孔徑EUV，既可在掩模限定範圍內設計芯片，也可藉助拼接技術和工藝設計套件（PDK）來滿足更大面積的製造需求。

英特爾認為，未來AI產品對製造技術的要求將持續攀升，不僅需要更高的性能和密度，更依賴穩定的量產能力和較低的採用門檻。通過率先將高數值孔徑EUV推入生產環境，英特爾希望為客戶提供更加成熟、可靠的先進製程選項。